ความจุของซิลิคอน
-
SSLC471M2B79A
ขอบเขต • ข้อกำหนดใช้กับตัวเก็บประจุชั้นเดียว• ประเภท : SSLC471M2B79A โครงสร้าง • ขั้วไฟฟ้าด้านบน (แอโนด) : AL =3um ±3000A ด้านหลัง (แคโทด) : Ti /Au =5000A ~ 6000A • ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก (SiNx) : 7.5 ขนาด • ขนาดชิป (ก่อนหั่น) : 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 มม. • ขนาดชิป (หลังหั่นเป็นลูกเต๋า) : 0.790 ± 0.03 มม. * 0.790 ± 0.03 มม. • ความหนา : 0.210 ± 0.015 มม. • การวาดลวดลาย : ตามรูปที่ 1 ลักษณะทางไฟฟ้า -
SSLC122M2A79A
ขอบเขต • ข้อกำหนดใช้กับตัวเก็บประจุชั้นเดียว• ประเภท : SSLC122M2A79A โครงสร้าง • ด้านบนขั้วไฟฟ้า (แอโนด) : AL =3um ±3000A ด้านหลัง (แคโทด) : Ti /Au =5000A ~ 6000A • ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก (SiNx) : 7.5 ขนาด • ขนาดชิป (ก่อนหั่น) : 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 มม. • ขนาดชิป (หลังหั่นเป็นลูกเต๋า) : 0.790 ± 0.03 มม. * 0.790 ± 0.03 มม. • ความหนา : 0.210 ± 0.015 มม. • การวาดลวดลาย : ตามรูปที่ 1 ลักษณะทางไฟฟ้า -
SSLC103M1A79A
ขอบเขต • ข้อกำหนดใช้กับตัวเก็บประจุชั้นเดียว• ประเภท : SSLC103M1A79A โครงสร้าง • ขั้วไฟฟ้าด้านบน (แอโนด) : AL =3um ±3000A ด้านหลัง (แคโทด) : Ti /Au =5000A ~ 6000A • ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก (SiNx) : 7.5 ขนาด • ขนาดชิป (ก่อนหั่น) : 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 มม. • ขนาดชิป (หลังหั่นเป็นลูกเต๋า) : 0.790 ± 0.03 มม. * 0.790 ± 0.03 มม. • ความหนา : 0.210 ± 0.015 มม. • การวาดลวดลาย : ตามรูปที่ 1 ลักษณะทางไฟฟ้า -
SSLC102M1C80A
ขอบเขต • ข้อกำหนดใช้กับตัวเก็บประจุชั้นเดียว• ประเภท : SSLC102M1C80A โครงสร้าง • ด้านบนขั้วไฟฟ้า (แอโนด) : AL =3um ±3000A ด้านหลัง (แคโทด) : Ti /Au =5000A ~ 6000A • ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก (SiNx) : 7.5 ขนาด • ขนาดชิป (ก่อนหั่น) : 0.830 ± 0.02mm * 0.830 ± 0.02 มม. • ขนาดชิป (หลังหั่นเป็นลูกเต๋า) : 0.800 ± 0.03 มม. * 0.800 ± 0.03 มม. • ความหนา : 0.210 ± 0.015 มม. • การวาดลวดลาย : ตามรูปที่ 1 ลักษณะทางไฟฟ้า
